увеличить Мемори... : Моддинг : Форум : На печать : Для Sony Ericsson патчи эльфы моддинг прошивка

увеличить Мемори... : Моддинг : Форум

anonymous:	13.02.08, 21:36
У меня появился такой вопрос-Если СЕ К320 перепрошить в Ш200 то увеличиться память...А от чего тогда объём её зависит?От софта или микросхем?И реально ли увеличить память на СЕ без паяльника???

Zormax:	13.02.08, 21:55
и намного увеличивается?

siealex:	13.02.08, 22:18
Разве что пособирать пустые блоки в прошивке и присоединить к ФС... На сименсе это приводило к ГЛЮКАМ...

6casper9:	16.02.08, 23:34
а где нить описано как с помощью паяльника увеличить мемори??мне бы и такой способ пормальный))

zapret:

26.02.08, 22:00

да думаю слово паяльник здесь употребилось шутя. я думаю до такого еще никто не дошел. и врядли дойдут. быстрее оперативу или процессор заменят, чем память увеличат. да и зачем это надо. купил флешку и радуйся. в любом случае удастся высвободить не больше мегабайт 5 и то врядли

[ Редактировано zapret007 в 26.2.08 21:03 ]

Speedi:	26.02.08, 22:44
6casper9 и zapret007 NAND чип памяти с помощью обычного паяльника не перепаять! Браться за это никакой специалист не станет, дешевле, да и проще другую мобилу приобрести в флешкой.

zapret:	26.02.08, 23:23
Speedi Я ПРО ЧТО

jim117:	31.08.08, 11:51
Память при прошивке в ш200 увеличится до 27 метров на своем опыте знаю

Салават:

31.08.08, 14:24

Кста, на телах некоторых, где нету слота под флеху, есть посадочное место под этот самый слот. При условии, что тел будет шиться под модель с флехой, то, в принципе, припаять слот (при определенных умениях) не очень-то и сложно. Лично я взялся бы за такую работу не меньше чем за 1000 р (~1200 при условии двухмесячной гарантии, а гарантия составляет 30% от стоимости работ)), поэтому считаю экономически нецелесообразным проведение таких работ. Проще добавить эти же деньги в момент покупки и купить более функциональный тел. Насчёт перепаивания флеш - нужно чтобы ещё и в проше это поддерживалось. Тупо перепаяв флеху на флеху большего объёма вряд ли можно добиться увеличения внутренней памяти.